A2T18H455W23NR6
NXP Semiconductors
Deutsch
Artikelnummer: | A2T18H455W23NR6 |
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Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors |
Teil der Beschreibung.: | A2T18H455W23N - Airfast RF Power |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2+ | $175.79 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 31.5 V |
Spannung - Nennwert | 65 V |
Technologie | LDMOS |
Supplier Device-Gehäuse | OM-1230-4L2S |
Serie | - |
Leistung | 87W |
Verpackung / Gehäuse | OM-1230-4L2S |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschmaß | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 14.5dB @ 1.805GHz |
Frequenz | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | 10µA |
Strom - Test | 1.08 A |
Konfiguration | N-Channel |
A2T18H455W23NR6 Einzelheiten PDF [English] | A2T18H455W23NR6 PDF - EN.pdf |
RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S
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FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() A2T18H455W23NR6NXP Semiconductors |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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